SIA918EDJ-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIA918EDJ-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
- 渠道：
- digikey
库存 ：5938
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.516872 | ￥6.52 |
| 10 | ￥5.525175 | ￥55.25 |
| 25 | ￥5.15683 | ￥128.92 |
| 100 | ￥3.830788 | ￥383.08 |
| 250 | ￥3.639247 | ￥909.81 |
| 500 | ￥2.990962 | ￥1495.48 |
| 1000 | ￥2.431076 | ￥2431.08 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 58 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 9.5 nC
耗散功率 7.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 41 ns
正向跨导（Min） 14 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 100 mg
SIA918EDJ-T1-GE3 同类别型号
注
SIA918EDJ-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SIA918EDJ-T1-GE3
数据手册PDF。
SIA918EDJ-T1-GE3
型号：SIA918EDJ-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：5938 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.516872 |
| 10+： | ￥5.525175 |
| 25+： | ￥5.15683 |
| 100+： | ￥3.830788 |
| 250+： | ￥3.639247 |
| 500+： | ￥2.990962 |
| 1000+： | ￥2.431076 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.52