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APTGT400A120D3G

MICROSEMI(美高森美)
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制造商编号:
APTGT400A120D3G
制造商:
MICROSEMI(美高森美)
产品类别:
晶体管IGBT
商品描述:
IGBT MODULE 1200V 580A 2100W D3
渠道:
digikey

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定价(含税)

数量 价格 总计
4 5201.350098 20805.40

规格参数

属性
参数值

制造商型号

APTGT400A120D3G

制造商

MICROSEMI(美高森美)

商品描述

IGBT MODULE 1200V 580A 2100W D3

包装

-

系列

-

零件状态

Active

IGBT 类型

Trench Field Stop

配置

Half Bridge

电压 - 集射极击穿(最大值)

1200V

电流 - 集电极(Ic)(最大值)

580A

功率 - 最大值

2100W

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)

2.1V @ 15V, 400A

电流 - 集电极截止(最大值)

750µA

不同 Vce 时的输入电容(Cies)

29nF @ 25V

输入

Standard

NTC 热敏电阻

No

工作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Chassis Mount

封装/外壳

D-3 Module

供应商器件封装

D3

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型号:APTGT400A120D3G

品牌:MICROSEMI

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