CSD86336Q3DT
库存 ：500
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥23.659079 | ￥23.66 |
| 10 | ￥21.250671 | ￥212.51 |
| 25 | ￥20.049299 | ￥501.23 |
| 100 | ￥15.636244 | ￥1563.62 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 9.1 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 3.8 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
正向跨导（Min） 40 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 Power MOSFET
典型关闭延迟时间 7 ns
典型接通延迟时间 5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 99.500 mg
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注
CSD86336Q3DT品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、CSD86336Q3DT
数据手册PDF
。
CSD86336Q3DT
型号：CSD86336Q3DT
品牌：TI
供货：锐单
库存：500 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥23.659079 |
| 10+： | ￥21.250671 |
| 25+： | ￥20.049299 |
| 100+： | ￥15.636244 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥23.66