
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥70.636251 | ¥70.64 |
| 25 | ¥56.409946 | ¥1410.25 |
| 100 | ¥50.471902 | ¥5047.19 |
| 500 | ¥44.534093 | ¥22267.05 |
| 1000 | ¥40.080649 | ¥40080.65 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1.2 kV
饱和电压 1.7 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 57 A
耗散功率 200 W
高度 20.7 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 AUIRG4PH50S SP001512028
单位重量 38 g
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0AUIRG4PH50S
型号:AUIRG4PH50S
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥70.636251 |
| 25+: | ¥56.409946 |
| 100+: | ¥50.471902 |
| 500+: | ¥44.534093 |
| 1000+: | ¥40.080649 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥70.64