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制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1.2 kV
饱和电压 2.4 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 38 A
耗散功率 200 W
集电极连续电流 38 A
集电极连续电流(Max) 50 A
栅极—射极漏泄电流 500 nA
工作温度范围 - 55 C to + 150 C
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.500 g
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0IXDH20N120D1
型号:IXDH20N120D1
品牌:IXYS
供货:锐单
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