SIA907EDJT-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SIA907EDJT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.054838 | ￥3164.51 |
| 6000 | ￥1.001202 | ￥6007.21 |
| 9000 | ￥0.929687 | ￥8367.18 |
| 30000 | ￥0.90821 | ￥27246.30 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 47 mOhms, 47 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 7.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 10 ns
正向跨导（Min） 11 S, 11 S
上升时间 15 ns, 15 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 13 ns, 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIA907EDJT-GE3
单位重量 28 mg
SIA907EDJT-T1-GE3 同类别型号
注
SIA907EDJT-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购SIA907EDJT-T1-GE3、查询SIA907EDJT-T1-GE3代理商；
SIA907EDJT-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SIA907EDJT-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SIA907EDJT-T1-GE3
替代型号
、SIA907EDJT-T1-GE3
数据手册PDF。
SIA907EDJT-T1-GE3
型号：SIA907EDJT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.054838 |
| 6000+： | ￥1.001202 |
| 9000+： | ￥0.929687 |
| 30000+： | ￥0.90821 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00