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IXFN30N110P

IXYS(艾赛斯.力特)
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制造商编号:
IXFN30N110P
制造商:
IXYS(艾赛斯.力特)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
渠道:
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制造商型号

IXFN30N110P

制造商

IXYS(艾赛斯.力特)

商品描述

MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B

包装

Tube

系列

Polar™

零件状态

Active

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

1100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

25A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

360mOhm @ 15A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

6.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

235nC @ 10V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

13600pF @ 25V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

695W (Tc)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Chassis Mount

供应商器件封装

SOT-227B

封装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

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型号:IXFN30N110P

品牌:IXYS

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