货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥1.181081 | ¥1.18 |
100 | ¥1.093356 | ¥109.34 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6.1 A
漏源电阻 17 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 8.8 nC
耗散功率 920 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 234 ns, 234 ns
上升时间 78 ns, 78 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 562 ns, 562 ns
典型接通延迟时间 53 ns, 53 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 65 mg
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0DMG8601UFG-7
型号:DMG8601UFG-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥1.181081 |
100+: | ¥1.093356 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥1.18