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DMG8601UFG-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMG8601UFG-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
渠道:
自营
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库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 1.181081 1.18
100 1.093356 109.34

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

产品 MOSFET Small Signal

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 6.1 A

漏源电阻 17 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 350 mV

栅极电荷 8.8 nC

耗散功率 920 mW

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 234 ns, 234 ns

上升时间 78 ns, 78 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 562 ns, 562 ns

典型接通延迟时间 53 ns, 53 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 65 mg

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型号:DMG8601UFG-7

品牌:DIODES

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