CSD86356Q5DT
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：250
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ￥27.011154 | ￥6752.79 |
| 500 | ￥23.634829 | ￥11817.41 |
| 1250 | ￥19.583155 | ￥24478.94 |
| 2500 | ￥18.232598 | ￥45581.49 |
| 6250 | ￥17.557249 | ￥109732.81 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 4.5 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 950 mV
栅极电荷 7.9 nC
耗散功率 12 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导（Min） 70 S
上升时间 26 ns
晶体管类型 PowerBlock
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 119 mg
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注
CSD86356Q5DT品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、CSD86356Q5DT
数据手册PDF
。
CSD86356Q5DT
型号：CSD86356Q5DT
品牌：TI
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 250+： | ￥27.011154 |
| 500+： | ￥23.634829 |
| 1250+： | ￥19.583155 |
| 2500+： | ￥18.232598 |
| 6250+： | ￥17.557249 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00