货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥34.718483 | ¥34.72 |
10 | ¥31.210595 | ¥312.11 |
100 | ¥25.08981 | ¥2508.98 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 4.5 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 950 mV
栅极电荷 7.9 nC
耗散功率 12 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 70 S
上升时间 26 ns
晶体管类型 PowerBlock
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 119 mg
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0CSD86356Q5DT
型号:CSD86356Q5DT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥34.718483 |
10+: | ¥31.210595 |
100+: | ¥25.08981 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥34.72