
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.633636 | ¥9.63 |
| 10 | ¥8.245259 | ¥82.45 |
| 100 | ¥6.157026 | ¥615.70 |
| 500 | ¥4.837501 | ¥2418.75 |
| 1000 | ¥3.738133 | ¥3738.13 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, NPN
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 24 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 36 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 12.6 nC
耗散功率 1.45 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 572 ns
上升时间 278 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 738 ns
典型接通延迟时间 183 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.600 mg
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0DMN2036UCB4-7
型号:DMN2036UCB4-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.633636 |
| 10+: | ¥8.245259 |
| 100+: | ¥6.157026 |
| 500+: | ¥4.837501 |
| 1000+: | ¥3.738133 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.63