货期:国内(1~3工作日)
起订量:2000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2000 | ¥1.604772 | ¥3209.54 |
6000 | ¥1.494084 | ¥8964.50 |
10000 | ¥1.43874 | ¥14387.40 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 10.7 A
漏源电阻 10.8 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 20.3 nC
耗散功率 1.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 144 g
购物车
0DMN2022UNS-7
型号:DMN2022UNS-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2000+: | ¥1.604772 |
6000+: | ¥1.494084 |
10000+: | ¥1.43874 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00