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DMN2022UNS-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN2022UNS-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 7.169662 7.17
10 6.313928 63.14
100 4.838365 483.84
500 3.824899 1912.45
1000 3.059827 3059.83

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 10.7 A

漏源电阻 10.8 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 400 mV

栅极电荷 20.3 nC

耗散功率 1.9 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 144 g

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DMN2022UNS-7

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型号:DMN2022UNS-7

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥7.169662
10+: ¥6.313928
100+: ¥4.838365
500+: ¥3.824899
1000+: ¥3.059827

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