BSM400D12P2G003
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：4
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 4 | ￥36256.712575 | ￥145026.85 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
产品 Power MOSFET Modules
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
栅极电压 22 V
配置 Half-Bridge
下降时间 75 ns
漏极电流 400 A
耗散功率 2450 W
上升时间 50 ns
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 240 ns
典型接通延迟时间 60 ns
漏源击穿电压 1200 V
栅源极阈值电压 1.6 V
物理类型
产品种类 分立半导体模块
类型 SiC Power Module
安装风格 Screw Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
BSM400D12P2G003 同类别型号
注
BSM400D12P2G003
型号：BSM400D12P2G003
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 4+： | ￥36256.712575 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00