HGTG30N60B3D
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起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.45 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 60 A
耗散功率 208 W
集电极连续电流 60 A
集电极连续电流（Max） 60 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 250 nA
外形参数
高度 20.82 mm
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 HGTG30N60B3D_NL
单位重量 6.390 g
HGTG30N60B3D 同类别型号
注
HGTG30N60B3D
型号：HGTG30N60B3D
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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