STB18N60M2
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- 制造商编号：
- STB18N60M2
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V D2PAK
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥7.643574 | ￥7643.57 |
| 2000 | ￥7.261384 | ￥14522.77 |
| 5000 | ￥6.988391 | ￥34941.96 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STB18N60M2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 600V D2PAK
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
MDmesh™ II Plus
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
280mOhm @ 6.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
21.5nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
791pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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注
STB18N60M2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
STB18N60M2
型号：STB18N60M2
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥7.643574 |
| 2000+： | ￥7.261384 |
| 5000+： | ￥6.988391 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00