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数量 | 价格 | 总计 |
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制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 242 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
耗散功率 1 W
配置 Dual
晶体管类型 2 P-Channel
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.500 mg
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0SSM6P47NU,LF
型号:SSM6P47NU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
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