SIA778DJ-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIA778DJ-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.95849 | ￥4.96 |
| 10 | ￥3.810954 | ￥38.11 |
| 25 | ￥3.502111 | ￥87.55 |
| 100 | ￥3.156433 | ￥315.64 |
| 250 | ￥2.983594 | ￥745.90 |
| 500 | ￥2.888108 | ￥1444.05 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SIA778DJ-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
12V, 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4.5A, 1.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
29mOhm @ 5A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
15nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
500pF @ 6V
功率 - 最大值
6.5W, 5W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
PowerPAK® SC-70-6 Dual
供应商器件封装
PowerPAK® SC-70-6 Dual
SIA778DJ-T1-GE3 同类别型号
注
SIA778DJ-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
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数据手册PDF。
SIA778DJ-T1-GE3
型号：SIA778DJ-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.95849 |
| 10+： | ￥3.810954 |
| 25+： | ￥3.502111 |
| 100+： | ￥3.156433 |
| 250+： | ￥2.983594 |
| 500+： | ￥2.888108 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.96