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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 12 A, 22 A
漏源电阻 11.4 mOhms, 11.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V, 1.9 V
栅极电荷 16 nC, 19 nC
耗散功率 2.2 W, 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 53 S, 47 S
上升时间 3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
高度 1.1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 211 mg
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0FDMS7606
型号:FDMS7606
品牌:ON
供货:锐单
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