DMN1033UCB4-7
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- DMN1033UCB4-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
- 渠道：
- digikey
库存 ：5173
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.050347 | ￥11.05 |
| 10 | ￥9.718639 | ￥97.19 |
| 100 | ￥7.4519 | ￥745.19 |
| 500 | ￥5.890684 | ￥2945.34 |
| 1000 | ￥4.712549 | ￥4712.55 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 5.5 A
漏源电阻 26 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 37 nC
耗散功率 1.45 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.800 mg
DMN1033UCB4-7 同类别型号
注
DMN1033UCB4-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DMN1033UCB4-7
数据手册PDF
。
DMN1033UCB4-7
型号：DMN1033UCB4-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：5173 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.050347 |
| 10+： | ￥9.718639 |
| 100+： | ￥7.4519 |
| 500+： | ￥5.890684 |
| 1000+： | ￥4.712549 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.05