货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥6.926862 | ¥6.93 |
10 | ¥6.739649 | ¥67.40 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 5.5 A
漏源电阻 26 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 37 nC
耗散功率 1.45 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.800 mg
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0DMN1033UCB4-7
型号:DMN1033UCB4-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.926862 |
10+: | ¥6.739649 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.93