SGL160N60UFDTU
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥65.741212 | ￥65.74 |
| 10 | ￥59.363963 | ￥593.64 |
| 100 | ￥49.149115 | ￥4914.91 |
| 500 | ￥42.798443 | ￥21399.22 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 2.1 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 160 A
耗散功率 250 W
集电极连续电流 80 A
集电极连续电流（Max） 160 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 100 nA
外形参数
高度 26 mm
长度 20 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 SGL160N60UFDTU_NL
单位重量 6.756 g
SGL160N60UFDTU 同类别型号
注
SGL160N60UFDTU品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、SGL160N60UFDTU
数据手册PDF。
SGL160N60UFDTU
型号：SGL160N60UFDTU
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥65.741212 |
| 10+： | ￥59.363963 |
| 100+： | ￥49.149115 |
| 500+： | ￥42.798443 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥65.74