SIZ346DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZ346DT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.622443 | ￥4867.33 |
| 6000 | ￥1.460199 | ￥8761.19 |
| 15000 | ￥1.352036 | ￥20280.54 |
| 30000 | ￥1.330403 | ￥39912.09 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 17 A, 30 A
漏源电阻 11.5 mOhms, 28.5 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V, 2.4 V
栅极电荷 6.6 nC, 10 nC
耗散功率 16 W, 16.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 8 ns
正向跨导（Min） 17 S
上升时间 15 ns, 40 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 7 ns, 17 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
SIZ346DT-T1-GE3 同类别型号
注
SIZ346DT-T1-GE3
型号：SIZ346DT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.622443 |
| 6000+： | ￥1.460199 |
| 15000+： | ￥1.352036 |
| 30000+： | ￥1.330403 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00