货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.984261 | ¥5952.78 |
6000 | ¥1.785835 | ¥10715.01 |
15000 | ¥1.653551 | ¥24803.26 |
30000 | ¥1.627094 | ¥48812.82 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 17 A, 30 A
漏源电阻 11.5 mOhms, 28.5 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V, 2.4 V
栅极电荷 6.6 nC, 10 nC
耗散功率 16 W, 16.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 8 ns
正向跨导(Min) 17 S
上升时间 15 ns, 40 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 7 ns, 17 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
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0SIZ346DT-T1-GE3
型号:SIZ346DT-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.984261 |
6000+: | ¥1.785835 |
15000+: | ¥1.653551 |
30000+: | ¥1.627094 |
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