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SIZ346DT-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIZ346DT-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8-POWER33
渠道:
digikey

库存 :5950

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 8.525657 8.53
10 7.54953 75.50
25 7.087415 177.19
100 5.143813 514.38
250 4.960202 1240.05
500 4.297426 2148.71
1000 3.657383 3657.38

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 17 A, 30 A

漏源电阻 11.5 mOhms, 28.5 mOhms

栅极电压 - 16 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.2 V, 2.4 V

栅极电荷 6.6 nC, 10 nC

耗散功率 16 W, 16.7 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 7 ns, 8 ns

正向跨导(Min) 17 S

上升时间 15 ns, 40 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 7 ns, 17 ns

典型接通延迟时间 7 ns, 8 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 143.050 mg

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型号:SIZ346DT-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

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10+: ¥7.54953
25+: ¥7.087415
100+: ¥5.143813
250+: ¥4.960202
500+: ¥4.297426
1000+: ¥3.657383

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