TT8J11TCR
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.253608 | ￥3760.82 |
| 6000 | ￥1.189911 | ￥7139.47 |
| 9000 | ￥1.104884 | ￥9943.96 |
| 30000 | ￥1.079405 | ￥32382.15 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 31 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 60 ns
上升时间 30 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 170 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TT8J11
单位重量 56.165 mg
TT8J11TCR 同类别型号
注
TT8J11TCR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、TT8J11TCR
数据手册PDF。
TT8J11TCR
型号：TT8J11TCR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.253608 |
| 6000+： | ￥1.189911 |
| 9000+： | ￥1.104884 |
| 30000+： | ￥1.079405 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00