SISS26DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SISS26DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S
- 渠道：
- digikey
库存 ：12172
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥27.537544 | ￥27.54 |
| 10 | ￥18.679634 | ￥186.80 |
| 100 | ￥13.222611 | ￥1322.26 |
| 500 | ￥10.791965 | ￥5395.98 |
| 1000 | ￥9.998119 | ￥9998.12 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 3.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.6 V
栅极电荷 24.5 nC
耗散功率 57 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 488.500 mg
SISS26DN-T1-GE3 同类别型号
注
SISS26DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SISS26DN-T1-GE3
数据手册PDF。
SISS26DN-T1-GE3
型号：SISS26DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：12172 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥27.537544 |
| 10+： | ￥18.679634 |
| 100+： | ￥13.222611 |
| 500+： | ￥10.791965 |
| 1000+： | ￥9.998119 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥27.54