货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥76.978405 | ¥76.98 |
10 | ¥70.731852 | ¥707.32 |
100 | ¥59.738185 | ¥5973.82 |
500 | ¥53.141317 | ¥26570.66 |
1000 | ¥51.862111 | ¥51862.11 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 GenX3
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 1.2 kV
饱和电压 2.96 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 50 A
耗散功率 300 W
集电极连续电流 30 A
集电极连续电流(Max) 150 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
工作温度范围 - 55 C to + 150 C
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.500 g
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0IXGH30N120B3D1
型号:IXGH30N120B3D1
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥76.978405 |
10+: | ¥70.731852 |
100+: | ¥59.738185 |
500+: | ¥53.141317 |
1000+: | ¥51.862111 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥76.98