
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ¥6.406909 | ¥6406.91 |
| 2000 | ¥6.086629 | ¥12173.26 |
| 5000 | ¥5.857739 | ¥29288.69 |
| 10000 | ¥5.837219 | ¥58372.19 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 13.7 A
漏源电阻 220 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 130 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 20 ns
典型关闭延迟时间 110 ns
典型接通延迟时间 60 ns
高度 10.4 mm
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2.387 g
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0TK14G65W,RQ
型号:TK14G65W,RQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1000+: | ¥6.406909 |
| 2000+: | ¥6.086629 |
| 5000+: | ¥5.857739 |
| 10000+: | ¥5.837219 |
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