货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥28.535046 | ¥28.54 |
10 | ¥23.700288 | ¥237.00 |
100 | ¥18.859298 | ¥1885.93 |
500 | ¥15.957944 | ¥7978.97 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 13.7 A
漏源电阻 220 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 130 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 20 ns
典型关闭延迟时间 110 ns
典型接通延迟时间 60 ns
高度 10.4 mm
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2.387 g
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0TK14G65W,RQ
型号:TK14G65W,RQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥28.535046 |
10+: | ¥23.700288 |
100+: | ¥18.859298 |
500+: | ¥15.957944 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥28.54