货期:(7~10天)
起订量:33
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
33 | ¥5.15756 | ¥170.20 |
50 | ¥4.760813 | ¥238.04 |
100 | ¥4.364066 | ¥436.41 |
300 | ¥4.364066 | ¥1309.22 |
500 | ¥4.364066 | ¥2182.03 |
1000 | ¥3.96732 | ¥3967.32 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.3 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 12.9 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns
上升时间 3.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 2.9 ns
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0ZXMN3F31DN8TA
型号:ZXMN3F31DN8TA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
33+: | ¥5.15756 |
50+: | ¥4.760813 |
100+: | ¥4.364066 |
300+: | ¥4.364066 |
500+: | ¥4.364066 |
1000+: | ¥3.96732 |
货期:7-10天
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