ZXMN3F31DN8TA
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- ZXMN3F31DN8TA
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
- 渠道：
- digikey
库存 ：500
货期：（7~10天）
起订量：33
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 33 | ￥5.913531 | ￥195.15 |
| 50 | ￥5.458631 | ￥272.93 |
| 100 | ￥5.003732 | ￥500.37 |
| 300 | ￥5.003732 | ￥1501.12 |
| 500 | ￥5.003732 | ￥2501.87 |
| 1000 | ￥4.548832 | ￥4548.83 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.3 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 12.9 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns
上升时间 3.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 2.9 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
ZXMN3F31DN8TA 同类别型号
注
ZXMN3F31DN8TA
型号：ZXMN3F31DN8TA
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：500 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 33+： | ￥5.913531 |
| 50+： | ￥5.458631 |
| 100+： | ￥5.003732 |
| 300+： | ￥5.003732 |
| 500+： | ￥5.003732 |
| 1000+： | ￥4.548832 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00