STGYA120M65DF2
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起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥75.648005 | ￥75.65 |
| 30 | ￥61.249531 | ￥1837.49 |
| 120 | ￥57.645962 | ￥6917.52 |
| 510 | ￥52.241463 | ￥26643.15 |
| 1020 | ￥47.91803 | ￥48876.39 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STGYA120M65DF2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
包装
Tube
系列
M
零件状态
Active
IGBT 类型
NPT, Trench Field Stop
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
160A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
360A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
1.95V @ 15V, 120A
功率 - 最大值
625W
开关能量
1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
420nC
25°C 时 Td（开/关）值
66ns/185ns
测试条件
400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
反向恢复时间（trr）
202ns
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-247-3 Exposed Pad
供应商器件封装
MAX247™
STGYA120M65DF2 同类别型号
注
STGYA120M65DF2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、STGYA120M65DF2
数据手册PDF。
STGYA120M65DF2
型号：STGYA120M65DF2
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥75.648005 |
| 30+： | ￥61.249531 |
| 120+： | ￥57.645962 |
| 510+： | ￥52.241463 |
| 1020+： | ￥47.91803 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥75.65