ZXMN3F31DN8TA
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- 制造商编号：
- ZXMN3F31DN8TA
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
- 渠道：
- digikey
库存 ：478
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.243978 | ￥11.24 |
| 10 | ￥9.872461 | ￥98.72 |
| 100 | ￥7.565592 | ￥756.56 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.3 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 12.9 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns
上升时间 3.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 2.9 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
ZXMN3F31DN8TA 同类别型号
注
ZXMN3F31DN8TA
型号：ZXMN3F31DN8TA
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：478 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.243978 |
| 10+： | ￥9.872461 |
| 100+： | ￥7.565592 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.24