FGY160T65SPD-F085
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥84.138506 | ￥84.14 |
| 30 | ￥68.118583 | ￥2043.56 |
| 120 | ￥64.110653 | ￥7693.28 |
| 510 | ￥58.100263 | ￥29631.13 |
| 1020 | ￥53.291987 | ￥54357.83 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 240 A
耗散功率 882 W
栅极—射极漏泄电流 +/- 250 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 FGY160T65SPD_F085
单位重量 6.100 g
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注
FGY160T65SPD-F085品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、FGY160T65SPD-F085
数据手册PDF。
FGY160T65SPD-F085
型号：FGY160T65SPD-F085
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥84.138506 |
| 30+： | ￥68.118583 |
| 120+： | ￥64.110653 |
| 510+： | ￥58.100263 |
| 1020+： | ￥53.291987 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥84.14