
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥32.810632 | ¥32.81 |
| 10 | ¥27.192585 | ¥271.93 |
| 100 | ¥21.647278 | ¥2164.73 |
| 500 | ¥18.31731 | ¥9158.65 |
| 1000 | ¥15.542025 | ¥15542.03 |
| 2000 | ¥14.764939 | ¥29529.88 |
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 6.6 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 2.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 26 S
晶体管类型 1 N-Channel
高度 1.8 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 112 mg
购物车
0FDT86102LZ
型号:FDT86102LZ
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥32.810632 |
| 10+: | ¥27.192585 |
| 100+: | ¥21.647278 |
| 500+: | ¥18.31731 |
| 1000+: | ¥15.542025 |
| 2000+: | ¥14.764939 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥32.81