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STB18N60M6

ST(意法半导体)
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制造商编号:
STB18N60M6
制造商:
ST(意法半导体)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
N-CHANNEL 600 V, 105 MOHM TYP.,
渠道:
digikey

库存 :141

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 33.731936 33.73
10 30.346386 303.46
100 24.393254 2439.33
500 20.041465 10020.73

规格参数

属性
参数值

制造商型号

STB18N60M6

制造商

ST(意法半导体)

商品描述

N-CHANNEL 600 V, 105 MOHM TYP.,

包装

Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列

MDmesh™ M6

零件状态

Active

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

13A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

280mOhm @ 6.5A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

4.75V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

16.8nC @ 10V

Vgs(最大值)

±25V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

650pF @ 100V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

110W (Tc)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

D2PAK

封装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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型号:STB18N60M6

品牌:ST

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