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制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.73 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 132 A
耗散功率 600 W
集电极连续电流(Max) 250 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
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0IXYH50N65C3D1
型号:IXYH50N65C3D1
品牌:IXYS
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