货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.048733 | ¥3146.20 |
6000 | ¥0.9811 | ¥5886.60 |
15000 | ¥0.913407 | ¥13701.10 |
30000 | ¥0.866041 | ¥25981.23 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 850 mA
漏源电阻 210 mOhms, 788 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 2.6 V
栅极电荷 1.4 nC, 1.6 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 32 ns, 17 ns
正向跨导(Min) 1.2 S, 0.6 S
上升时间 18 ns, 39 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 8 ns, 10 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 4 ns
高度 1 mm
长度 2.1 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
购物车
0SQ1539EH-T1_GE3
型号:SQ1539EH-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.048733 |
6000+: | ¥0.9811 |
15000+: | ¥0.913407 |
30000+: | ¥0.866041 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00