SQ1539EH-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQ1539EH-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 30V POWERPAKSC70-6
- 渠道：
- digikey
库存 ：20650
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.90984 | ￥5.91 |
| 10 | ￥4.106581 | ￥41.07 |
| 25 | ￥3.661069 | ￥91.53 |
| 100 | ￥3.164036 | ￥316.40 |
| 250 | ￥2.927039 | ￥731.76 |
| 500 | ￥2.784292 | ￥1392.15 |
| 1000 | ￥2.666701 | ￥2666.70 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 850 mA
漏源电阻 210 mOhms, 788 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 2.6 V
栅极电荷 1.4 nC, 1.6 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 32 ns, 17 ns
正向跨导（Min） 1.2 S, 0.6 S
上升时间 18 ns, 39 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 8 ns, 10 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 4 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 2.1 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
SQ1539EH-T1_GE3 同类别型号
注
SQ1539EH-T1_GE3
型号：SQ1539EH-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：20650 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.90984 |
| 10+： | ￥4.106581 |
| 25+： | ￥3.661069 |
| 100+： | ￥3.164036 |
| 250+： | ￥2.927039 |
| 500+： | ￥2.784292 |
| 1000+： | ￥2.666701 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.91