SH8KA4TB
库存 ：1778
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.88419 | ￥13.88 |
| 10 | ￥12.184085 | ￥121.84 |
| 100 | ￥9.344911 | ￥934.49 |
| 500 | ￥7.386956 | ￥3693.48 |
| 1000 | ￥5.909563 | ￥5909.56 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 16.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 15.5 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns
正向跨导（Min） 4.6 S
上升时间 19 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SH8KA4
单位重量 83 mg
SH8KA4TB 同类别型号
注
SH8KA4TB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SH8KA4TB
数据手册PDF。
SH8KA4TB
型号：SH8KA4TB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：1778 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥13.88419 |
| 10+： | ￥12.184085 |
| 100+： | ￥9.344911 |
| 500+： | ￥7.386956 |
| 1000+： | ￥5.909563 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥13.88