QJD1210011
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- 制造商编号：
- QJD1210011
- 制造商：
- Powerex Inc.
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
- 渠道：
- digikey
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定价（含税）
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
QJD1210011
制造商
Powerex Inc.
商品描述
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Silicon Carbide (SiC)
漏源电压（Vdss）
1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
25mOhm @ 100A, 20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 10mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
500nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
10200pF @ 800V
功率 - 最大值
900W
工作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
Module
供应商器件封装
Module
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注
QJD1210011品牌厂家：Powerex Inc.
，所属分类： 射频晶体管
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、QJD1210011
数据手册PDF。
QJD1210011
型号：QJD1210011
品牌：Powerex Inc.
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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