QJD1210SA1
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- 制造商编号：
- QJD1210SA1
- 制造商：
- Powerex Inc.
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
- 渠道：
- digikey
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整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
QJD1210SA1
制造商
Powerex Inc.
商品描述
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
17mOhm @ 100A, 15V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.6V @ 34mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
330nC @ 15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
8200pF @ 10V
功率 - 最大值
520W
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
Module
供应商器件封装
Module
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注
QJD1210SA1品牌厂家：Powerex Inc.
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF。
QJD1210SA1
型号：QJD1210SA1
品牌：Powerex Inc.
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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