SIZ328DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZ328DT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：6000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 6000 | ￥4.008998 | ￥24053.99 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAIR
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 25.3 A, 30 A
漏源电阻 10 mOhms, 15 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 6.9 nC, 11.3 nC
耗散功率 16.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5 ns, 5 ns
正向跨导（Min） 25 S, 42 S
上升时间 5 ns, 11 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns, 15 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
SIZ328DT-T1-GE3 同类别型号
注
SIZ328DT-T1-GE3
型号：SIZ328DT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 6000+： | ￥4.008998 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00