
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.689255 | ¥6.69 |
| 10 | ¥5.741611 | ¥57.42 |
| 100 | ¥4.292273 | ¥429.23 |
| 500 | ¥3.372499 | ¥1686.25 |
| 1000 | ¥2.606022 | ¥2606.02 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 400 mA, 600 mA
漏源电阻 750 mOhms, 1.2 Ohms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 750 pC, 1.5 nC
耗散功率 280 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 0.4 S, 1 S
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns, 35 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1016X-GE3
单位重量 6 mg
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0SI1016X-T1-GE3
型号:SI1016X-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.689255 |
| 10+: | ¥5.741611 |
| 100+: | ¥4.292273 |
| 500+: | ¥3.372499 |
| 1000+: | ¥2.606022 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.69