IXFN32N120P
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- 制造商编号：
- IXFN32N120P
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
- 渠道：
- 国内现货mouserdigikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥505.590098 | ￥505.59 |
| 10 | ￥480.334015 | ￥4803.34 |
| 100 | ￥447.182563 | ￥44718.26 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 HiPerFET
技术类参数
栅极电压 - 30 V, + 30 V
配置 Single
下降时间 58 ns
漏极电流 32 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 1 kW
漏源电阻 310 mOhms
上升时间 62 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 88 ns
典型接通延迟时间 70 ns
漏源击穿电压 1.2 kV
栅源极阈值电压 6.5 V
外形参数
高度 12.22 mm
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
物理类型
产品种类 分立半导体模块
类型 Polar HiPerFET Power MOSFET
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
单位重量 30 g
IXFN32N120P 同类别型号
注
IXFN32N120P品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IXFN32N120P
数据手册PDF。
IXFN32N120P
型号：IXFN32N120P
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥505.590098 |
| 10+： | ￥480.334015 |
| 100+： | ￥447.182563 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥505.59