SI4210DY-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI4210DY-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：120
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 120 | ￥1.592066 | ￥191.05 |
| 300 | ￥1.592066 | ￥477.62 |
| 500 | ￥1.592066 | ￥796.03 |
| 1000 | ￥1.592066 | ￥1592.07 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI4210DY-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
35.5mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
445pF @ 15V
功率 - 最大值
2.7W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SO
SI4210DY-T1-GE3 同类别型号
注
SI4210DY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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SI4210DY-T1-GE3
型号：SI4210DY-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 120+： | ￥1.592066 |
| 300+： | ￥1.592066 |
| 500+： | ￥1.592066 |
| 1000+： | ￥1.592066 |
货期：7-10天
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