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STI10NM60N

ST(意法半导体)
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制造商编号:
STI10NM60N
制造商:
ST(意法半导体)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 13.109232 13.11
10 11.762557 117.63
25 11.097561 277.44
100 8.656861 865.69
250 8.434718 2108.68

规格参数

属性
参数值

制造商型号

STI10NM60N

制造商

ST(意法半导体)

商品描述

MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

包装

Tube

系列

MDmesh™ II

零件状态

Obsolete

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

10A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

550mOhm @ 4A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

19nC @ 10V

Vgs(最大值)

±25V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

540pF @ 50V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

70W (Tc)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Through Hole

供应商器件封装

I2PAK (TO-262)

封装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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型号:STI10NM60N

品牌:ST

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