SH8M3TB1
库存 ：544
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.560921 | ￥12.56 |
| 10 | ￥10.272594 | ￥102.73 |
| 100 | ￥7.992973 | ￥799.30 |
| 500 | ￥6.77469 | ￥3387.34 |
| 1000 | ￥5.518597 | ￥5518.60 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 58 mOhms
耗散功率 2 W
配置 Dual
正向跨导（Min） 3 S
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
SH8M3TB1 同类别型号
注
SH8M3TB1品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SH8M3TB1
数据手册PDF。
SH8M3TB1
型号：SH8M3TB1
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：544 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥12.560921 |
| 10+： | ￥10.272594 |
| 100+： | ￥7.992973 |
| 500+： | ￥6.77469 |
| 1000+： | ￥5.518597 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.56