SH8M3TB1
库存 ：544
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥14.402044 | ￥14.40 |
| 10 | ￥11.778304 | ￥117.78 |
| 100 | ￥9.164547 | ￥916.45 |
| 500 | ￥7.767693 | ￥3883.85 |
| 1000 | ￥6.327489 | ￥6327.49 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 58 mOhms
耗散功率 2 W
配置 Dual
正向跨导（Min） 3 S
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
SH8M3TB1 同类别型号
注
SH8M3TB1品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购SH8M3TB1、查询SH8M3TB1代理商；
SH8M3TB1价格批发咨询客服；这里拥有
SH8M3TB1中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SH8M3TB1
替代型号
、SH8M3TB1
数据手册PDF。
SH8M3TB1
型号：SH8M3TB1
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：544 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥14.402044 |
| 10+： | ￥11.778304 |
| 100+： | ￥9.164547 |
| 500+： | ￥7.767693 |
| 1000+： | ￥6.327489 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥14.40