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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 630 mA
漏源电阻 1.1 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 740 pC
耗散功率 1.09 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 440 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 301 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 582 ns
典型接通延迟时间 131 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN61D8LVT-7
型号:DMN61D8LVT-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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