货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥24.640072 | ¥24.64 |
10 | ¥20.467356 | ¥204.67 |
100 | ¥16.287212 | ¥1628.72 |
500 | ¥13.781849 | ¥6890.92 |
1000 | ¥11.693634 | ¥11693.63 |
2000 | ¥11.108958 | ¥22217.92 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 168 nC
耗散功率 96 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
正向跨导(Min) 85 S
上升时间 33 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 48 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC009NE2LS SP000893362
单位重量 110 mg
购物车
0BSC009NE2LSATMA1
型号:BSC009NE2LSATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥24.640072 |
10+: | ¥20.467356 |
100+: | ¥16.287212 |
500+: | ¥13.781849 |
1000+: | ¥11.693634 |
2000+: | ¥11.108958 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥24.64