
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥28.251702 | ¥28.25 |
| 10 | ¥23.467368 | ¥234.67 |
| 100 | ¥18.674518 | ¥1867.45 |
| 500 | ¥15.801929 | ¥7900.96 |
| 1000 | ¥13.407635 | ¥13407.64 |
| 2000 | ¥12.737259 | ¥25474.52 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 168 nC
耗散功率 96 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
正向跨导(Min) 85 S
上升时间 33 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 48 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC009NE2LS SP000893362
单位重量 110 mg
购物车
0BSC009NE2LSATMA1
型号:BSC009NE2LSATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥28.251702 |
| 10+: | ¥23.467368 |
| 100+: | ¥18.674518 |
| 500+: | ¥15.801929 |
| 1000+: | ¥13.407635 |
| 2000+: | ¥12.737259 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥28.25