RGPZ10BM40FHTL
库存 ：4986
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 460 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 10 V
在25 C的连续集电极电流 20 A
耗散功率 107 W
集电极连续电流（Max） 20 A
栅极—射极漏泄电流 15 uA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGPZ10BM40FH
RGPZ10BM40FHTL 同类别型号
注
RGPZ10BM40FHTL品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、RGPZ10BM40FHTL
数据手册PDF。
RGPZ10BM40FHTL
型号：RGPZ10BM40FHTL
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：4986 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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